IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 (BSC052N03S G)
Part Number: BSC052N03S G
Documents / Media: datasheets BSC052N03S G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 40µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2820pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 54W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу